| 发明名称 |
半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| 摘要 |
半导体装置(100)的制造方法，包括：配置至少含有锡之焊接材料(4)于半导体元件(6)与备有镍层(2a)及铜层(22)的接合构件(2b)之间，而使焊接材料与铜层接触，镍层设于接合构件之表面上，及铜层设于镍层之至少部分表面上；及使用焊接材料之锡及铜层熔化且凝固焊接材料，以形成Cu6Sn5(铜锡合金)于镍层之表面上。
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| 申请公布号 |
TW201616587 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW104135423 |
申请日期 |
2015.10.28 |
| 申请人 |
丰田自动车股份有限公司 |
发明人 |
门口卓矢;柳本博;平冈基记 |
| 分类号 |
H01L21/60(2006.01);H01L23/48(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置(100)的制造方法，其特征在包含：配置至少含有锡之焊接材料(4)于半导体元件(6)与备有镍层(2a)及铜层(22)的接合构件(2b)之间，而使该焊接材料与该铜层接触，该镍层设于该接合构件之表面上，及该铜层设于该镍层之至少部分表面上；及使用该焊接材料之锡及该铜层熔化且凝固该焊接材料，以形成Cu6Sn5于该镍层之表面上。
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| 地址 |
日本 |
