形成半导体设备之方法

摘要

氧化铪可形成铁电电路元件(例如，场效电晶体或电容器)，在制造快速电晶体的精密高介电金属闸极电极结构期间也可使用氧化铪。为此目的，在任何适当的制造阶段可图案化有适当厚度及材料组合物的铪基氧化物，而不会不适当地影响用于制造精密高介电金属闸极电极结构的整体制程流程。

主权项

一种形成半导体设备之方法，其系包含下列步骤：形成高介电常数介电层于第一主动区及第二主动区上面以便用作铁电层；移除在该第一主动区上面的该高介电常数介电层以及保留在该第二主动区上面的该高介电常数介电层；以及在该第一主动区上面形成第一电极结构以及在该第二主动区上面形成第二电极结构，其中，移除在该第一主动区上面之该高介电常数介电层的步骤包括：建立该高介电常数介电层的非晶态以及在该高介电常数介电层处于该非晶态时执行蚀刻制程。