| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明之半导体装置包括：第1导电型之半导体层；第2导电型之主体区域，其形成于上述半导体层之表层部；第1导电型之源极区域，其形成于上述主体区域之表层部；闸极绝缘膜，其设置于上述半导体层上，膜中包含氮原子，且包括与上述主体区域外之上述半导体层连接之第1部分、与上述主体区域连接之第2部分及与上述源极区域连接之第3部分；以及闸极电极，其于横跨上述主体区域外之上述半导体层、上述主体区域及上述源极区域之区域设置于上述闸极绝缘膜上。上述闸极绝缘膜之上述第3部分之膜厚大于上述第1部分之膜厚及上述第2部分的膜厚。 |
| 申请公布号 |
TWI532172 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW100133254 |
申请日期 |
2011.09.15 |
| 申请人 |
罗姆股份有限公司 |
发明人 |
奥村启树;三浦峰生;长尾胜久;箕谷周平 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其包括：第1导电型之半导体层，其包含SiC；第2导电型之主体区域，其形成于上述半导体层之表层部；第1导电型之源极区域，其形成于上述主体区域之表层部；闸极绝缘膜，其设置于上述半导体层上，膜中包含氮原子，且包括与上述主体区域外之上述半导体层连接之第1部分、与上述主体区域连接之第2部分及与上述源极区域连接之第3部分；以及闸极电极，其于横跨上述主体区域外之上述半导体层、上述主体区域及上述源极区域之区域设置于上述闸极绝缘膜上；且上述闸极绝缘膜之上述第3部分之膜厚大于上述第1部分之膜厚及上述第2部分之膜厚，且为上述第1部分之膜厚的2.03倍以上。
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| 地址 |
日本 |
