| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
半导体装置，包括：一绝缘物，形成于一半导体基板之一顶面上；一半导体层，形成于该绝缘物上，该半导体层包括一第一导电类型之一第一区，其中该第一区为一P+区或一N+区且具有占该半导体层体积之50%-80%的一体积；一第二导电类型之一第二区，直接接触该第一区并与该第一区形成一P-N接面；一第一金属化接触物，电性接触于该第一区；以及一第二金属化接触物，电性接触于该第二区。
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| 申请公布号 |
TW201616661 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW103137137 |
申请日期 |
2014.10.28 |
| 申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 |
发明人 |
苏里彦托 皮约诺;库马 马洛宜;李家豪;廖志成;杜尙晖 |
| 分类号 |
H01L29/866(2006.01);H01L21/329(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/866(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一绝缘物，形成于一半导体基板之一顶面上；一半导体层，形成于该绝缘物上，该半导体层包括一第一导电类型之一第一区，其中该第一区为一P+区或一N+区且具有占该半导体层体积之50%-80%的一体积；一第二导电类型之一第二区，直接接触该第一区并与该第一区形成一P-N接面；一第一金属化接触物，电性接触于该第一区；以及一第二金属化接触物，电性接触于该第二区。
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| 地址 |
新竹县新竹科学工业园区园区三路123号 |
