| 发明名称 |
能改善像素动态范围的ＣＭＯＳ影像感应器 |
| 摘要 |
影像感应器，包含有一半导体基底，其具有一主表面；一移转电晶体，包含一移转闸极，设置于该半导体基底的该主表面上；一光感结构，设于该移转闸极一侧的该半导体基底内；一浮置扩散节点，设于该移转闸极另一侧的该半导体基底内；一重置电晶体，经由该浮置扩散节点串接于该移转电晶体；一源极跟随电晶体，包含一源极跟随闸极；以及一垂直电容结构，其中该垂直电容结构具有一第一垂直电极板以及一第二垂直电极板，该第一垂直电极板系电连接该源极跟随闸极以及该浮置扩散节点。
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| 申请公布号 |
TW201616645 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW103137902 |
申请日期 |
2014.10.31 |
| 申请人 |
力晶科技股份有限公司 |
发明人 |
陈敏慧;锺志平;何明佑 |
| 分类号 |
H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2011.01);H04N5/355(2011.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
吴丰任;李俊陞;戴俊彦 |
| 主权项 |
一种影像感应器，包含有：一半导体基底，其具有一主表面；一移转电晶体，包含一移转闸极，设置于该半导体基底的该主表面上；一光感结构，设于该移转闸极一侧的该半导体基底内；一浮置扩散节点，设于该移转闸极另一侧的该半导体基底内；一重置电晶体，经由该浮置扩散节点串接于该移转电晶体；一源极跟随电晶体，包含一源极跟随闸极；以及一垂直电容结构，其中该垂直电容结构具有一第一垂直电极板以及一第二垂直电极板，该第一垂直电极板系电连接该源极跟随闸极以及该浮置扩散节点。
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| 地址 |
新竹市新竹科学园区力行一路12号 |
