发明名称 |
抗劣化之积垢抑制剂 |
摘要 |
明阐述于氧化铝回收法中减少含铝矽酸盐积垢之方法,其涉及在暴露于氧化铝回收法流之前使用具有高离子强度之抗劣化之积垢抑制组合物处理氧化铝回收法设备表面。
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申请公布号 |
TW201615892 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW103144863 |
申请日期 |
2014.12.22 |
申请人 |
塞特工业公司 |
发明人 |
宋爱容;史提格斯 戴能;鲍施 柯芮 |
分类号 |
C23F14/02(2006.01);C02F5/08(2006.01) |
主分类号 |
C23F14/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种于拜耳法(Bayer process)中减少含铝矽酸盐积垢之方法,其包括:监别在该拜耳法期间易受积垢形成之拜耳法设备表面;使该经监别之拜耳法设备表面与可有效形成经处理表面之量之积垢抑制组合物接触,该经处理表面在随后与拜耳法流接触时较其他方面相当之未处理表面对积垢形成抗性强;及使该经处理表面与该拜耳法流接触;其中该积垢抑制组合物包括一或多种水溶性盐具有至少约0.04%总溶解盐之水溶液及具有一或多个-Si(OR)n基团之含矽化合物的液体,其中:n系1至3之整数,及R系H、视情况经取代之C1-C20烷基、视情况经取代之C6-C12芳基、视情况经取代之C7-C20芳烷基、视情况经取代之C2-C20烯基、I族金属离子、II族金属离子或NR14;其中各R1独立地选自H、视情况经取代之C1-C20烷基、视情况经取代之C6-C12芳基、视情况经取代之C7-C20芳烷基及视情况经取代之C2-C20烯基,其中该含矽化合物在氧化铝回收法流中于约100℃至约265℃之方法温度抗劣化。
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地址 |
美国 |