发明名称 |
黏着带剥离方法及黏着带剥离装置 |
摘要 |
佳地检测出在经背面磨削后的半导体晶圆所产生的裂痕或破损等之异常部位。
以设置在保持台的环状凸部保持晶圆的外周,对藉由该晶圆所密闭之保持台的空间供给空气并加压。在此加压状态下藉由剥离构件将剥离带贴附于保护带且一边折返一边将剥离带剥离而将保护带一体地从晶圆剥离。于该剥离过程,以压力计检测出保持台的空间的压力变化。将所检测出的压力之实测值与预先决定的基准值作比较而判别晶圆的裂痕。
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申请公布号 |
TW201616567 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW104126655 |
申请日期 |
2015.08.17 |
申请人 |
日东电工股份有限公司 |
发明人 |
村山聪洋 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01);H01L21/78(2006.01);B65H41/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
丁国隆;黄政诚 |
主权项 |
一种黏着带剥离方法,系剥离被贴附于半导体晶圆的黏着带之黏着带剥离方法,其特征为具备:保持过程,以设置在保持台的环状凸部保持前述半导体晶圆的外周;加压过程,对藉由前述半导体晶圆所密闭之保持台的中空内部供给气体并加压;剥离过程,藉由剥离构件将剥离带贴附于前述黏着带且一边折返一边剥离该剥离带而将黏着带一体地从半导体晶圆剥离;检测过程,在前述剥离过程,利用检测器检测出朝向保持台的中空内部之气体的供给流量或压力的变化至少一者;及判别过程,从前述检测出的实测值与预先决定的基准值之比较来判别半导体晶圆之裂痕。
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地址 |
日本 |