虚拟金属结构及形成虚拟金属结构的方法

摘要

用于在半导体晶圆上之晶粒之间形成虚拟金属结构的方法及其产生的装置。具体实施例可包括形成从半导体晶圆之基材延展至介于复数个晶粒区之间的该半导体晶圆之顶端金属互连层的金属互连层，该等金属互连层之各者皆包括复数个虚拟垂直互连进接口(VIA)及复数条虚拟金属线，该复数条虚拟金属线侧向连接各金属互连层内之该复数个虚拟VIA，并且第一金属互连层内之复数个虚拟VIA垂直连接该第一金属互连层内之复数条虚拟金属线至第二金属互连层内之复数条虚拟金属线，并且该第二金属互连层低于该第一金属互连层。

主权项

一种方法，包含：在半导体晶圆之基材之上及复数个晶粒区之间形成第一金属互连层，该第一金属互连层包括第一复数个虚拟垂直互连进接口(VIA)及第一复数条虚拟金属线，其中该第一复数条虚拟金属线侧向连接该第一复数个虚拟VIA；在该第一金属互连层之上及该复数个晶粒区之间形成第二金属互连层，该第二金属互连层包括第二复数个虚拟VIA及第二复数条虚拟金属线，其中该第二复数个虚拟VIA垂直连接该第一复数条虚拟金属线与该第二复数条虚拟金属线，并且该第二复数条虚拟金属线侧向连接该第二复数个虚拟VIA；以及在形成该半导体晶圆之剩余金属互连层时，以交替顺序形成该第一金属互连层与该第二金属互连层之一或多者。