| 发明名称 |
非挥发性记忆体 |
| 摘要 |
发性记忆体设置于包括周边电路区与记忆胞区的基底上。非挥发性记忆体包括浮置闸极电晶体、电晶体、自对准阻障层、拉伸层以及接触蚀刻终止层。浮置闸极电晶体设置于记忆胞区。电晶体设置于周边电路区。自对准阻障层设置于浮置闸极电晶体的浮置闸极上。拉伸层只设置于浮置闸极上。接触蚀刻终止层覆盖住整个电晶体。
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| 申请公布号 |
TW201616638 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW103136815 |
申请日期 |
2014.10.24 |
| 申请人 |
力旺电子股份有限公司 |
发明人 |
陈冠勋;黄士展 |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;詹东颖;刘亚君 |
| 主权项 |
一种非挥发性记忆体，设置于包括一周边电路区与一记忆胞区的一基底上，包括：一浮置闸极电晶体，设置于该记忆胞区；一电晶体，设置于该周边电路区；一自对准阻障层，设置于该浮置闸极电晶体的一浮置闸极上；一拉伸层，只设置于该浮置闸极上；以及一接触蚀刻终止层，覆盖住整个该电晶体。
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| 地址 |
新竹市新竹科学园区园区二路47号305室 |
