半导体装置和其制造方法

摘要

明之一实施例的目标为提供包含具有优良特性的光电转换元件的半导体装置。本发明之一实施例的目标为以简单制程提供包含具有优良特性的光电转换元件的半导体装置。所提供之半导体装置包含一透光基板；设于该透光基板之上的一绝缘层；及设于该绝缘层之上的一光电转换元件。光电转换元件包含一单晶半导体层，其包含具有光电转换效应的半导体区域、具有第一导电类型的半导体区域、及具有第二导电类型的半导体区域；电连接于具有第一导电类型的半导体区域的第一电极；及电连接于具有第二导电类型的半导体区域的第二电极。

主权项

一种半导体装置，包含：一透光基板；一绝缘层，于该透光基板之上；及一光电转换元件，于该绝缘层之上，其中，该光电转换元件包含：一单晶半导体层，包含具有一光电转换效应的一半导体区域、具有一P型导电类型的一半导体区域、及具有一N型导电类型的一半导体区域；一第一电极，电连接于具有该P型导电类型的该半导体区域；及一第二电极，电连接于具有该N型导电类型的该半导体区域。