沟渠式金氧半P-N接面二极体结构及其制作方法

摘要

沟渠式金氧半P-N接面二极体结构，包含一第一导电型基板；复数之沟渠结构，形成于该第一导电型基板之表面上；一闸极氧化层，至少形成于该沟渠结构内侧壁上；一多晶矽层，形成于该沟渠结构内；一第二导电型低浓度离子布植区域，至少形成于第一导电型基板中；一第二导电型高浓度离子布植区域，形成于该沟渠结构底表面下；及一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型低浓度离子布植区域、该闸极氧化层及该多晶矽层上。位于沟渠结构底壁下之高浓度离子布植区域可在反向偏压时提供夹止区电压支撑，因此可以降低此二极体结构之漏电流。

主权项

一种沟渠式金氧半P-N接面二极体结构，包含：一第一导电型基板；复数之沟渠结构，形成于该第一导电型基板之表面上；一闸极氧化层，至少形成于该沟渠结构内侧壁上；一多晶矽层，形成于该沟渠结构内，且被该闸极氧化层包围至少部份侧面表面；一第二导电型低浓度离子布植区域，至少形成于第一导电型基板中，且在该闸极氧化层之外侧；一第二导电型高浓度离子布植区域，形成于该沟渠结构底表面下；及一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型低浓度离子布植区域、该闸极氧化层及该多晶矽层上；其中该多晶矽层直接接触该第二导电型高浓度离子布植区域。