发明名称 薄膜电晶体及画素结构
摘要 薄膜电晶体及画素结构。薄膜电晶体配置于基板上。薄膜电晶体包括闸极、绝缘层、金属氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源极、汲极、有机绝缘层以及金属氧化物阻障层。绝缘层覆盖闸极。金属氧化物半导体层位于闸极上方的绝缘层上。蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层,且蚀刻阻挡层具有第一接触窗以及第二接触窗。源极以及汲极分别相对设置于蚀刻阻挡层上。源极以及汲极分别透过第一接触窗及第二接触窗与金属氧化物半导体层电性连接。有机绝缘层覆盖蚀刻阻挡层、源极以及汲极。金属氧化物阻障层覆盖有机绝缘层。
申请公布号 TWI532192 申请公布日期 2016.05.01
申请号 TW103105715 申请日期 2014.02.20
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈信学;陈培铭
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L27/12(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗;詹东颖;刘亚君
主权项 一种薄膜电晶体,配置于一基板上,该薄膜电晶体包括:一闸极;一绝缘层,覆盖该闸极;一金属氧化物半导体层,位于该闸极上方的该绝缘层上;一蚀刻阻挡层,覆盖该金属氧化物半导体层,且该蚀刻阻挡层具有一第一接触窗以及一第二接触窗;一源极以及一汲极,分别相对设置于该蚀刻阻挡层上,其中该源极透过该第一接触窗与该金属氧化物半导体层电性连接,且该汲极透过该第二接触窗与该金属氧化物半导体层电性连接;一有机绝缘层,覆盖该蚀刻阻挡层、该源极以及该汲极;以及一金属氧化物阻障层,覆盖该有机绝缘层。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号