垂直式绝缘闸双极电晶体及其制造方法

摘要

明揭露一种垂直式绝缘闸双极电晶体至少包含具有第一导电类型之基板；具有第二导电类型之缓冲层，位于基板之第一表面上；具有第二导电类型之漂移层，位于缓冲层上；具有第二导电类型之磊晶层，位于漂移层上；具有第一导电类型之掺杂层，位于磊晶层上；具有第二导电类型之第一掺杂区，位于掺杂层中；具有第一导电类型之第二掺杂区，位于掺杂层中之两侧且邻接第一掺杂区；具有开口之沟槽，位于掺杂层中；第一绝缘层，覆盖沟槽之内壁；闸极电极，位于沟槽中；射极电极，覆盖掺杂层、沟槽及闸极电极；以及集极电极，位于基板之第二表面上。

主权项

一种垂直式绝缘闸双极电晶体(Vertical Insulated Gate Bipolar Transistor，VIGBT)，包含：具有一第一导电类型之一基板，其中该基板具有一第一表面及一第二表面；具有一第二导电类型之一缓冲层，位于该基板之该第一表面上；具有该第二导电类型之一漂移层，位于该缓冲层上；具有该第二导电类型之一磊晶层，位于该漂移层上；具有该第一导电类型之一掺杂层，位于该磊晶层上；具有该第二导电类型之一第一掺杂区，位于该掺杂层中；具有该第一导电类型之一第二掺杂区，位于该掺杂层中之两侧且邻接该第一掺杂区；具有一开口之一沟槽，位于该掺杂层中，且该开口位于该掺杂层之表面；一第一绝缘层，覆盖该沟槽之内壁；一闸极电极，位于该沟槽中；一射极电极，覆盖该掺杂层、该沟槽及该闸极电极；一集极电极，位于该基板之该第二表面上；以及一第二绝缘层，位于该射极电极及该闸极电极之间。