| 发明名称 |
半导体结构及其制造方法 |
| 摘要 |
半导体结构包括：一装置；在该装置上方之一导电衬垫；及安置在该导电衬垫上之一Ag1-xYx合金柱，其中该Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体之金属，且其中该Ag1-xYx合金之X在约0.005至约0.25之范围内。
|
| 申请公布号 |
TWI532131 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW102148605 |
申请日期 |
2013.12.27 |
| 申请人 |
南茂科技股份有限公司 |
发明人 |
郑世杰;卢东宝 |
| 分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪荣宗 |
| 主权项 |
一种半导体结构，其包含：一装置；在该装置上方之一导电衬垫；及安置在该导电衬垫上之一Ag1-xYx合金柱，其中该Ag1-xYx合金之Y包含以任意重量百分比与Ag形成完全固溶体之金属，且其中该Ag1-xYx合金之X在约0.005至约0.25之范围内，且其中该半导体结构包含一覆盖部件，该覆盖部件安置在该Ag1-xYx合金柱上且包括用于与另一半导体结构电连接的一焊料材料。
|
| 地址 |
新竹县新竹科学工业园区研发一路1号 |
