| 发明名称 |
形成多晶矽层之方法、包含该方法制造薄膜电晶体之方法、藉由使用制造薄膜电晶体之方法所制造之薄膜电晶体、以及包含该薄膜电晶体之有机发光显示装置 |
| 摘要 |
形成多晶矽层之方法，其包括形成缓冲层于基板上、以氢电浆处理缓冲层、形成非晶矽层于缓冲层上、形成金属触媒层于非晶矽层上，以结晶非晶矽层、以及热处理非晶矽层以形成多晶矽层。
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| 申请公布号 |
TWI532079 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW100130222 |
申请日期 |
2011.08.24 |
| 申请人 |
三星显示器有限公司 |
发明人 |
郑胤谋;李基龙;徐晋旭;郑珉在;朴承圭;孙榕德;苏炳洙;朴炳建;李吉远;李东炫;李卓泳;朴种力 |
| 分类号 |
H01L21/205(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L27/32(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
李国光;张仲谦 |
| 主权项 |
一种形成多晶矽层之方法，该方法包含：形成一缓冲层于一基板上；以氢电浆处理该缓冲层，且于该缓冲层中植入一高浓度之氢，藉以增加该缓冲层中之氢浓度；形成一非晶矽层于该缓冲层上；形成一金属触媒层于该非晶矽层上，以结晶该非晶矽层；以及热处理该非晶矽层以形成一多晶矽层。
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| 地址 |
南韩 |
