| 发明名称 |
鳍式场效电晶体装置结构与其形成方法 |
| 摘要 |
露提供一种鳍式场效电晶体装置结构与其形成方法。鳍式场效电晶体装置结构包括一基板，其中该基板包括一核心区域与一输入/输出(I/O)区域。鳍式场效电晶体装置结构尚包括一第一经蚀刻鳍式结构形成于该核心区域中，且一第二经蚀刻鳍式结构形成于该输入/输出(I/O)区域中。鳍式场效电晶体装置结构(FinFET device structure)更包括复数个闸极堆叠结构形成于该第一经蚀刻鳍式结构与该第二经蚀刻鳍式结构上，其中该第一经蚀刻鳍式结构之一宽度小于该第二经蚀刻鳍式结构之一宽度。
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| 申请公布号 |
TW201616653 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW104123514 |
申请日期 |
2015.07.21 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
张哲豪;程潼文;张哲诚;张永融 |
| 分类号 |
H01L29/772(2006.01);H01L27/085(2006.01);H01L21/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种鳍式场效电晶体装置结构(FinFET device structure)，包括：一基板，其中该基板包括一核心区域与一输入/输出(I/O)区域；一第一经蚀刻鳍式结构形成于该核心区域中，且一第二经蚀刻鳍式结构形成于该输入/输出(I/O)区域中；以及复数个闸极堆叠结构形成于该第一经蚀刻鳍式结构与该第二经蚀刻鳍式结构上，其中该第一经蚀刻鳍式结构之一宽度小于该第二经蚀刻鳍式结构之一宽度。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
