| 发明名称 |
用于低温覆晶接合的接合垫结构 |
| 摘要 |
明揭露一种用于制备三维积体化半导体元件之方法及所造成的元件。实施例包含分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上，该第一及第二接合垫的每一个具有复数个金属区段，该第一接合垫之该金属区段具有不同于该第二接合垫之该金属区段之组构或者具有与该第二接合垫之该金属区段的组构相同但是相对于该第二接合垫而旋转之组构；以及透过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。
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| 申请公布号 |
TW201616626 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW104117607 |
申请日期 |
2015.06.01 |
| 申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
英格兰 卢克;克利威尔 查利斯坦 |
| 分类号 |
H01L23/488(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
一种方法，包括：分别地形成第一及第二接合垫于第一及第二半导体元件上，该第一及该第二接合垫每一个具有复数个金属区段，该第一接合垫之该金属区段具有与该第二接合垫之该金属区段不同之组构或者具有与该第二接合垫之该金属区段的组构相同但是相对于该第二接合垫而旋转之组构；以及透过该第一及第二接合垫将该第一及第二半导体元件接合在一起。
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| 地址 |
美国 |
