| 发明名称 |
半导体装置与其形成方法 |
| 摘要 |
明实施例提供半导体装置之结构与其形成方法。半导体装置包括半导体基板，与第一导电结构位于半导体基板上。半导体装置亦包括第一介电层，其位于半导体基板上并围绕第一导电结构。半导体装置亦包括第二导电结构，其位于该第一导电结构上，且第二导电结构延伸至第一导电结构中。此外，半导体装置包括第二介电层，其位于第一介电层上并围绕第二导电结构。
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| 申请公布号 |
TW201616607 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW104123374 |
申请日期 |
2015.07.20 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
彭泰彦;吴佳典;郑价言 |
| 分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一半导体基板；一第一导电结构，位于该半导体基板上；一第一介电层，位于该半导体基板上并围绕该第一导电结构；一第二导电结构，位于该第一导电结构上，其中该第二导电结构延伸至该第一导电结构中；以及一第二介电层，位于该第一介电层上并围绕该第二导电结构。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
