氧化物半导体标靶及氧化物半导体材料以及使用此等之半导体装置

摘要

明之课题，系提供一种氧化物半导体材料、使用该氧化物材料之溅镀标靶、TFT之保护膜、及使用该等之氧化物半导体装置，在不会发生难以实现通道蚀刻构造之选择比小的课题、及保护膜形成时发生于膜中之缺氧的课题下，达成临限电压(Vth)之安定性(以PBS与NBIS，使临限电压偏移量△Vth=±3V以内)、及OLED显示装置之动作所必要之5cm2/Vs以上的移动度。
本发明之解决手段，系于以Zn-Sn-O为主要成份之半导体材料，以在各为0.07~3.8原子%、0.5~4.7原子%、0.32~6.4原子%之范围内，添加5d过渡金属氧化物之W、Ta、Hf之其中任一种或2种以上来烧结氧化物半导体材料之氧化物半导体标靶、使用该标靶所形成之半导体通道层及TFT保护膜用之氧化物半导体材料及具有该等之半导体装置。

主权项

一种氧化物半导体标靶，系烧结以氧化锌及氧化锡为主要成份之Zn-Sn-O系氧化物半导体材料而形成的氧化物半导体标靶，其特征为：其构成上，构成该Zn-Sn-O系氧化物半导体材料之Zn原子%之组成比〔Zn〕/(〔Zn〕+〔Sn〕)在0.5~0.85之范围，且于该氧化物半导体材料，添加着5d过渡金属，该5d过渡金属为W(钨)，该W之添加量在0.07~3.8原子%之组成范围。