| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 半导体元件之制作方法，该制作方法首先提供一基底，该基底上系形成有至少一闸极结构，且该闸极结构之侧壁上形成有一第一侧壁子。接下来进行一离子布植制程，以将一种掺杂质布植进入该基底，随后于该闸极结构之侧壁上形成一牺牲侧壁子，该牺牲侧壁子至少包含一含碳层，且该含碳层接触该第一侧壁子。在形成牺牲侧壁子之后，系进行一热处理，使该含碳层与该第一侧壁子反应，而于该含碳层与该第一侧壁子之间形成一保护层。 | ||
| 申请公布号 | TWI532086 | 申请公布日期 | 2016.05.01 |
| 申请号 | TW101122021 | 申请日期 | 2012.06.20 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 周玲君;王益昌;洪庆文 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种半导体元件之制作方法，包含有：提供一基底，该基底上系形成有至少一闸极结构，且该闸极结构之侧壁上形成有一第一侧壁子；进行一离子布植制程，以将一种掺杂质(dopants)布植进入该基底；于该闸极结构之侧壁上形成一牺牲侧壁子，该牺牲侧壁子至少包含一含碳层(carbon-containing layer)，且该含碳层接触该第一侧壁子；以及进行一热处理，使该含碳层与该第一侧壁子反应，而于该含碳层与该第一侧壁子之间形成一保护层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||