控制光阻特征之临界尺寸和粗糙度的方法与系统

摘要

明关于一种用于控制光阻特征中的临界尺寸和粗糙度的方法和系统，以及一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光阻凸纹特征的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光阻引导离子，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光阻凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光阻凸纹特征膨胀。

主权项

一种处理基底上的光阻凸纹特征的方法，所述光阻凸纹特征具有初始线粗糙度和初始临界尺寸，所述方法包括：在第一暴露中以第一角范围且以第一离子剂量率朝向所述光阻凸纹特征引导离子，所述第一离子剂量率用以将所述初始线粗糙度减小到第二线粗糙度；以及在第二暴露中以大于所述第一离子剂量率的第二离子剂量率朝向所述光阻凸纹特征引导离子，所述第二离子剂量率用以使所述光阻凸纹特征膨胀并使所述光阻凸纹特征平滑到第三线粗糙度，所述第三线粗糙度等于或小于所述第二线粗糙度。