发明名称 |
低时脉馈入之电荷泵电路 |
摘要 |
泵电路包含一第一比较器、一PMOS调谐器、一第一电流镜、一第一NMOS电晶体、一第一PMOS开关、一NMOS调谐器、一第二电流镜、一第一PMOS电晶体及一第一NMOS开关。该第一PMOS开关系耦合于该PMOS调谐器与该第一电流镜之第一输出PMOS电晶体之间,因此形成于该第一PMOS开关之闸极及汲极之间的寄生电容、形成于该第一输出PMOS电晶体之闸极及源极之间的寄生电容及形成于该第一输出PMOS电晶体之闸极及汲极之间的寄生电容系等同于串接,而降低该PMOS调谐器与该电荷泵的输出端之间的电容值,且降低该电荷泵电路中的时脉馈入及电荷注入效应。 |
申请公布号 |
TWI532326 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW100138522 |
申请日期 |
2011.10.24 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
陈建良;莫亚楠;陈元辉;张毓仁 |
分类号 |
H03L7/085(2006.01);H02M3/07(2006.01) |
主分类号 |
H03L7/085(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任;戴俊彦 |
主权项 |
一种电荷泵电路,包含:一第一比较器,具有一第一输入端,一第二输入端及一输出端,该输出端耦接于该第一比较器之第二输入端;一P型金氧半导体(PMOS)调谐器,具有一源极,耦接于一电压源,及一闸极,用于接收一第一偏压;一第一电流镜,包含:一起始PMOS电晶体,具有一源极,耦接于该电压源,及一闸极,耦接于该起始PMOS电晶体之汲极;及一第一输出PMOS电晶体,具有一闸极,耦接于该起始PMOS电晶体之闸极,及一汲极,耦接于该第一比较器之第一输入端;一第一N型金氧半导体(NMOS)电晶体,具有一汲极,耦接于该第一输出PMOS电晶体之闸极,一闸极,耦接于该第一比较器之输出端,及一源极,耦接至地;一第一PMOS开关,具有一汲极,耦接于该第一输出PMOS电晶体之源极,一源极,耦接于该PMOS调谐器之汲极,及一闸极,用于接收一第一控制信号;一NMOS调谐器,具有一源极,耦接至地,及一闸极,用于接收一第二偏压;一第二电流镜,包含:一起始NMOS电晶体,具有一源极,耦接至地,及一闸极,耦接于该起始NMOS电晶体之汲极;及一第一输出NMOS电晶体,具有一闸极,耦接于该起始NMOS电晶体之闸极,及一汲极,耦接于该第一比较器之第一输入端;一第一PMOS电晶体,具有一汲极,耦接于该第一输出NMOS电晶体之闸极,一闸极,耦接于该第一比较器之输出端,及一源极,耦接于该电压源,及一第一NMOS开关,具有一汲极,耦接于该第一输出NMOS电晶体之源极,一源极,耦接于该NMOS调谐器之汲极,及一闸极,用于接收一第二控制信号。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |