记忆元件的制造方法

摘要

记忆元件的制造方法，包括以下步骤。提供基底。于基底上形成多数个半导体鳍状结构。每一半导体鳍状结构包括第一掺杂区与基体区，第一掺杂区位于基体区上，以及相邻两个半导体鳍状结构之间具有沟渠。于半导体鳍状结构的基体区与沟渠底部的基底中形成第二掺杂区。于基底上形成多数个第一接触窗。每一第一接触窗电性连接第二掺杂区。于基底上形成多数个第二接触窗。每一第二接触窗电性连接所对应的第一掺杂区。

主权项

一种记忆元件的制造方法，包括： 提供一基底，该基底包括一第一部分与一第二部分； 形成多数个半导体鳍状结构，于该第一部分的该基底上，每一半导体鳍状结构沿着一第一方向延伸，且包括一第一掺杂区与一基体区，该第一掺杂区位于该基体区上，其中相邻两个半导体鳍状结构之间具有一沟渠；以及 形成一第二掺杂区，于该些半导体鳍状结构的该些基体区与该些沟渠底部的该基底中，并延伸到该第二部分的该基底中。