发明名称 |
涂布型硼磷矽玻璃膜形成用组成物、具有以该组成物形成之膜的基板、及利用该组成物之图案形成方法 |
摘要 |
明提供一种涂布型BPSG膜形成用组成物,其系形成BPSG膜,微细图案密合性优异,能利用不损伤半导体装置基板或于图案化步骤为必要的涂布型有机膜或将碳作为主成分之CVD膜的剥离液而轻易地进行湿蚀刻,并藉由涂布处理形成,能抑制微粒发生。一种涂布型BPSG膜形成用组成物含有下列通式(1)表示之将矽酸作为骨架之结构中之1种以上、下列通式(2)表示之将磷酸作为骨架之结构中之1种以上、及下列通式(3)表示之将硼酸作为骨架之结构中之1种以上。 【化1】【化2】【化3】 |
申请公布号 |
TWI531627 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW103121573 |
申请日期 |
2014.06.23 |
申请人 |
信越化学工业股份有限公司 |
发明人 |
荻原勤;上田贵史;种田义则;橘诚一郎 |
分类号 |
C09D183/04(2006.01);C09D185/00(2006.01);H01L21/312(2006.01);G03F7/11(2006.01);G03F1/20(2012.01);G03F1/22(2012.01);G03F7/40(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
C09D183/04(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
周良谋;周良吉 |
主权项 |
一种涂布型BPSG膜形成用组成物,其特征为包含:下列通式(1)表示之将矽酸作为骨架之结构中之1种以上、下列通式(2)表示之将磷酸作为骨架之结构中之1种以上、及下列通式(3)表示之将硼酸作为骨架之结构中之1种以上; 【化1】【化2】【化3】(式中,R1
、R2
、R3
、R4
、R5
、R6
、R7
、R8
各为氢原子或碳数1~30之有机基,且该有机基中的氢原子也可以取代为卤素原子;m10、m11、m12、m13为将矽酸作为骨架之结构中之莫耳分率,m10+m11+m12+m13=1、0≦m10≦0.3、0≦m11≦0.5、0≦m12≦0.7、0<m13≦1;m20、m21、m22为将磷酸作为骨架之结构中之莫耳分率,m20+m21+m22=1、0≦m20≦1、0≦m21≦1、0≦m22<1;m30、m31为将硼酸作为骨架之结构中之莫耳分率,m30+m31=1、0≦m30≦1、0≦m31≦1)。 |
地址 |
日本 |