发明名称 |
发光设备 |
摘要 |
明提供一种发光设备。所述发光设备包括:发光结构,其包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、主动层及第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域;透明电极,其设置于第二导电型半导体层上;第一绝缘层,其包括第一开口和第二开口;金属层,其至少部分覆盖第一绝缘层;与第一导电型半导体层电连接的第一电极;以及与透明电极电连接的第二电极。本发明能够防止发光设备的电特性发生恶化,同时能够改善发光设备的发光效率。 |
申请公布号 |
TW201616676 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW104134471 |
申请日期 |
2015.10.21 |
申请人 |
首尔伟傲世有限公司 |
发明人 |
金彰渊;朴柱勇;孙成寿 |
分类号 |
H01L33/36(2010.01);H01L33/46(2010.01) |
主分类号 |
H01L33/36(2010.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
主权项 |
一种发光设备,其包括: 发光结构,其包括第一导电型半导体层,设置在所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层,设置于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的主动层,以及所述第一导电型半导体层的上表面的部分暴露区域; 透明电极,其设置于所述第二导电型半导体层上且与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触; 第一绝缘层,其覆盖所述发光结构和所述透明电极,并且包括分别暴露所述第一导电型半导体层的上表面的所述部分暴露区域和所述透明电极的一部分的第一开口和第二开口; 金属层,其至少部分覆盖所述第一绝缘层且延伸至所述第二导电型半导体层的上表面; 第一电极,与所述第一导电型半导体层电连接;以及 第二电极,与所述透明电极电连接。 |
地址 |
南韩 |