发明名称 |
半导体封装元件 |
摘要 |
半导体封装元件包括一基板、至少一个组件、一封装本体、一第一导电层、一第一屏蔽层、一第二屏蔽层及一第二导电层。该组件设置于该基板之一第一表面上。该封装本体设置于该基板之该第一表面上且覆盖该组件。该第一导电层覆盖该封装本体及该基板之至少一部分。该第一屏蔽层覆盖该第一导电层,且具有一第一厚度并包括一高电导率材料。该第二屏蔽层覆盖该第一屏蔽层,且具有一第二厚度并包括一高磁导率材料。该第一厚度对该第二厚度之一比率在0.2至3之一范围内。该第二导电层覆盖该第二屏蔽层。
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申请公布号 |
TW201616632 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW104134721 |
申请日期 |
2015.10.22 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
廖国宪;林奕嘉;府玠辰;林政男 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01);H01L21/56(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种半导体封装元件,其包含:一基板,其具有一第一表面、与该第一表面相对之一第二表面,及延伸于该第一表面与该第二表面之间的一侧向表面;至少一个组件,其设置于该基板之该第一表面上;一封装本体,其设置于该基板之该第一表面上且覆盖该组件;一第一导电层,其覆盖该封装本体及该基板之至少一部分;一第一屏蔽层,其覆盖该第一导电层,该第一屏蔽层具有一第一厚度且包含一高导电率材料;一第二屏蔽层,其覆盖该第一屏蔽层,该第二屏蔽层具有一第二厚度且包含一高导磁率材料,该第一厚度对该第二厚度之一比率在0.2至3之一范围内;及一第二导电层,其覆盖该第二屏蔽层。
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地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |