光阻底层膜形成用组成物及图型形成方法

摘要

明之目的在于提供可形成具有优异的耐蚀刻性之光阻底层膜，对于具有阶差的基板之埋入性能优异，而且光阻底层膜形成时出气量少之光阻底层膜形成用组成物及图型形成方法。

主权项

一种光阻底层膜形成用组成物，其含有(A)具有以下述式(1)所示之构造单位，聚苯乙烯换算重量平均分子量为3,000以上10,000以下，且分散度为1.4以上5.0以下之聚合物，及(B)溶剂；

(式(1)中，R3~R8各自独立地为以下述式(2)所示之基、氢原子、羟基、碳数1~6之烷基、碳数1~6之烷氧基、碳数2~10之烷氧羰基、碳数6~14之芳基或碳数3~6之缩水甘油醚基；此烷基、烷氧基、烷氧羰基、芳基及缩水甘油醚基所具有的氢原子之一部分或全部可被取代；惟，R3~R8中至少1个为以下述式(2)所示之基；X系碳数1~10的烷二基、碳数3~20的环烷二基、碳数1~10的烷二基氧基、碳数3~20的环烷二基氧基、碳数6~14的芳烃二基、或组合有此等的2价基；此烷二基、环烷二基、烷二基氧基、环烷二基氧基及芳烃二基所具有的氢原子之一部分或全部可被取代)；

(式(2)中，R1为单键、碳数1~20之烷二基或碳数6
~20之芳烃二基；此烷二基及芳烃二基所具有之氢原子之一部分或全部可被取代；R2为氢原子、碳数1~20之烷基或碳数6~20之芳基；此烷基及芳基所具有之氢原子之一部分或全部可被取代)。