发明名称 |
六个电晶体的静态随机存取记忆体单元 |
摘要 |
六个电晶体的静态随机存取记忆体单元,包含一写入反相器、一与该写入反相器交叉耦接的读取反相器、一写入传送闸电晶体,及一读取传送闸电晶体。于一写入期间,一写入数据经由该写入传送闸电晶体单边写入,于一读取期间,一读取数据经由该读取传送闸电晶体单边被读取出。藉由将该静态随机存取记忆体单元分为写入及读取两边,并分别进行单边写入及单边读取,如此,即使当所写入的电压准位与该静态随机存取记忆体单元所储存的电压准位不相同时,也只有该写入反相器单边的路径会耗电,可以大幅减少于该写入期间的耗电量。
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申请公布号 |
TW201616502 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
申请号 |
TW103135848 |
申请日期 |
2014.10.16 |
申请人 |
萧志成 |
发明人 |
萧志成 |
分类号 |
G11C11/41(2006.01);H01L27/11(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/41(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
高玉骏;杨祺雄 |
主权项 |
一种六个电晶体的静态随机存取记忆体单元,包含:一写入反相器,包括串接于一供应电压源及一互补供应电压源间的一写入升压电晶体及一写入降压电晶体;一读取反相器,包括串接于该供应电压源以及该互补供应电压源间的一读取升压电晶体及一读取降压电晶体,该读取反相器之输出端电连接该写入反相器之输入端,该读取反相器之输入端电连接该写入反相器之输出端;一写入传送闸电晶体,电连接于该写入反相器之输出端与一写入讯号线间;及一读取传送闸电晶体,电连接于该读取反相器之输出端与一读取讯号线间;于一写入期间,该写入讯号线上之一写入数据经由该写入传送闸电晶体单边写入,于一读取期间,一读取数据经由该读取传送闸电晶体单边读取至该读取讯号线。
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地址 |
台中市西区明智街13巷23号 |