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Procédé de métallisation 'à base de,cuivre de ligne de connexion (rdl) 32 et de vias traversant 34 (fig .La) destiné à la fabrication d'un circuit intégré en généralet d'un capteur d'image en particulier en utilisant ta technologie wafer level packaging 3d , permettant de réduire le co,ût defabrication et d'avoir une meilleure performance électrique au niveau du dit capteur d'image 1 notamment pour la réalisation des interconnexions dans des circuits intégrés en trois dimensions. |
