发明名称 METAL NITRIDE MATERIAL FOR THERMISTOR, MANUFACTURING METHOD FOR SAME, AND FILM-TYPE THERMISTOR SENSOR
摘要 서미스터에 사용되는 금속 질화물 재료로서, 일반식:M(AlSi)N(단, M 은 Ti, V, Cr, Mn, Fe 및 Co 중 적어도 1 종을 나타낸다. 0.0 < w < 0.3, 0.70 ≤ y/(x + y) ≤ 0.98, 0.4 ≤ z ≤ 0.5, x + y + z = 1) 로 나타내는 금속 질화물로 이루어지고, 그 결정 구조가 육방정계의 우르츠광형의 단상이다. 이 서미스터용 금속 질화물 재료의 제조 방법은, M-Al-Si 합금 스퍼터링 타깃 (단, M 은 Ti, V, Cr, Mn, Fe 및 Co 중 적어도 1 종을 나타낸다) 을 사용하여 질소 함유 분위기 중에서 반응성 스퍼터를 실시하여 성막하는 성막 공정을 갖고 있다.
申请公布号 KR20160046788(A) 申请公布日期 2016.04.29
申请号 KR20167001264 申请日期 2014.08.15
申请人 MITSUBISHI MATERIALS CORP. 发明人 FUJITA TOSHIAKI;TANAKA HIROSHI;NAGATOMO NORIAKI
分类号 H01C7/04;H01C7/00;H01C17/12;H01C17/24 主分类号 H01C7/04
代理机构 代理人
主权项
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