METHOD OF SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT FORMATION

摘要

반도체 장치 형성의 방법들이 제공된다. 반도체 장치를 형성하는 방법은 트렌치에서 또는 기판 상의 유전체 기둥들 사이에 기판 상에 제 1 뉴클리어스를 형성하는 단계를 포함한다. 제 1 뉴클리어스를 형성하는 단계는 기판의 최상면에 대해 제 1 각도에서 제 1 소스 재료 빔을 인가하는 단계 및 기판의 최상면에 대해 제 2 각도에서 제 2 소스 재료 빔을 동시에 인가하는 단계를 포함한다. 제 1 반도체 컬럼은 제 1 소스 재료 빔 및 제 2 소스 재료 빔을 적용하면서 기판을 회전시킴으로써 제 1 뉴클리어스로부터 형성된다. 제 1 소스 재료 빔 및 제 2 소스 재료 빔을 이용하여 트렌치에 또는 유전체 기둥들 사이에 제 1 반도체 컬럼을 형성하는 것은 제 1 반도체 컬럼의 형성을 단일 방향으로 제한한다.