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经营范围
发明名称
Metal Interconnection Method of Semiconductor Device
摘要
반도체 장치의 금속 배선 형성 방법을 제공한다. 구리막을 형성하는 공정과 구리막을 평탄화하는 공정 사이에 서로 다른 온도에서 두 번의 열처리 공정들이 수행된다.
申请公布号
KR101616555(B1)
申请公布日期
2016.04.29
申请号
KR20090063630
申请日期
2009.07.13
申请人
삼성전자주식회사
发明人
박선이;박영훈;한주철;정진국;강기호;안유진
分类号
H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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