发明名称 Metal Interconnection Method of Semiconductor Device
摘要 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법을 제공한다. 구리막을 형성하는 공정과 구리막을 평탄화하는 공정 사이에 서로 다른 온도에서 두 번의 열처리 공정들이 수행된다.
申请公布号 KR101616555(B1) 申请公布日期 2016.04.29
申请号 KR20090063630 申请日期 2009.07.13
申请人 삼성전자주식회사 发明人 박선이;박영훈;한주철;정진국;강기호;안유진
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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