| 摘要 |
Eine Titanschicht (39) wird gebildet, um einen Zwischenschicht-Isolierfilm (37) auf einer MOS-Gate-Struktur zu bedecken. Dann wird eine ein Source-Gebiet (33) berührende Nickelschicht (40) gebildet. Dann wird der gesamte Siliciumcarbid-Wafer einer durch Mikrowellen gebildeten Wasserstoffplasma-Atmosphäre ausgesetzt, wodurch die Nickelschicht (40) dazu gebracht wird, durch Wasserstoffradikale Wärme zu erzeugen, und erwärmt wird. Hier erzeugt die Titanschicht (39) keine Wärme, während die Reduktion eines Oxidfilms in der Oberfläche vor sich geht. Deshalb wird allein das Source-Gebiet (33) direkt unter der Nickelschicht (40) durch eine Übertragung von Wärme aus der Nickelschicht (40) erwärmt. Infolgedessen wird an einer Grenzfläche des Siliciumcarbid-Wafers und der Nickelschicht (40) eine Silicidschicht gebildet und kann ein ohmscher Kontakt mit niedrigem spezifischem Durchgangswiderstand gebildet werden. Da die MOS-Gate-Struktur nicht erwärmt wird, kann verhindert werden, dass Vorrichtungseigenschaften sich verschlechtern. Ferner wird die Wasserstoffplasma-Verarbeitung entsprechend verwendet, wenn Rückseitenelektroden (41, 42) gebildet werden. |
