发明名称 Circuit and Method for Generating Sense Amp Enable Signal for Static RAM and Static RAM Comprising the same Circuit
摘要 정적 램(SRAM)용 센스앰프인에이블 신호 생성회로 및 그 방법과, 그 생성회로를 구비한 정적 램이 개시된다. 본 발명의 센스앰프인에이블 신호 생성회로는 상기 램의 셀 어레이 중에서 선택되는 적어도 하나의 셀 칼럼을 추적셀 칼럼으로 이용함으로써 별도의 복제 또는 더미 워드라인을 구비할 필요가 없다. 본 발명의 센스앰프인에이블 신호 생성회로는 워드라인 중 하나가 논리 하이로 구동되어 읽기 동작이 개시될 때, 추적셀 칼럼의 비트라인에서의 전압 변동을 트래킹하여 트래킹 신호(TRKBL)를 생성하고, 그 트래킹 신호를 이용하여 센스앰프인에이블 신호를 생성한다.
申请公布号 KR101616262(B1) 申请公布日期 2016.04.28
申请号 KR20140042434 申请日期 2014.04.09
申请人 (주)에이디테크놀로지 发明人 김영승;정민철;남효윤;이현석
分类号 G11C11/413;G11C11/416 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人
主权项
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