摘要 |
정적 램(SRAM)용 센스앰프인에이블 신호 생성회로 및 그 방법과, 그 생성회로를 구비한 정적 램이 개시된다. 본 발명의 센스앰프인에이블 신호 생성회로는 상기 램의 셀 어레이 중에서 선택되는 적어도 하나의 셀 칼럼을 추적셀 칼럼으로 이용함으로써 별도의 복제 또는 더미 워드라인을 구비할 필요가 없다. 본 발명의 센스앰프인에이블 신호 생성회로는 워드라인 중 하나가 논리 하이로 구동되어 읽기 동작이 개시될 때, 추적셀 칼럼의 비트라인에서의 전압 변동을 트래킹하여 트래킹 신호(TRKBL)를 생성하고, 그 트래킹 신호를 이용하여 센스앰프인에이블 신호를 생성한다. |