Halbleitervorrichtung

摘要

Ein n–-Typ-Halbleitersubstrat (1) weist einen aktiven Bereich und einen Anschlussbereich, der außerhalb des aktiven Bereichs angeordnet ist, auf. Eine p+-Typ-Anodenschicht (2) ist in einem Teil einer oberen Oberfläche des n–-Typ-Halbleitersubstrats (1) in dem aktiven Bereich ausgebildet. Eine Mehrzahl von p+-Typ-Schutzringschichten (3) ist in einem Teil der oberen Oberfläche des n–-Typ-Halbleitersubstrats (1) in dem Anschlussbereich ausgebildet. Eine n+-Typ-Kathodenschicht (5) ist in einer unteren Oberfläche des n–-Typ-Halbleitersubstrats (1) ausgebildet. Eine Anoden-Elektrode (6) ist mit der p+-Typ-Anodenschicht (2) verbunden. Eine metallische Kathodenelektrode (7) ist mit der n+-Typ-Kathodenschicht (5) verbunden. Eine Vertiefung (8) ist durch ein Einkerben der n+-Typ-Kathodenschicht (5) in dem Anschlussbereich ausgebildet. Die Kathodenelektrode (7) ist auch in der Vertiefung (8) ausgebildet.