Leistungshalbleitervorrichtung

摘要

Eine Leistungshalbleitervorrichtung umfasst ein isolierendes Substrat 1, ein Halbleiterelement 2, ein Gehäuse 4 und ein Verdrahtungselement 5. Das Gehäuse 4 bildet einen Gehäusekörper mit einer Bodenfläche, die durch eine Fläche des isolierenden Substrats 1 definiert ist, an welches das Halbleiterelement 2 gebondet ist. Das Verdrahtungselement 5 weist einen Verbindungsabschnitt auf, der oberhalb einer Oberseitenelektrode 2a des Halbleiterelements 2 positioniert ist. Der Verbindungsbereich des Verdrahtungselements 5 ist mit einem Vorsprungbereich 5b, der zur Oberseitenelektrode 2a des Halbleiterelements 2 vorragt und mit der Oberseitenelektrode 2a mittels eines Lots 5 verbunden ist, und einer Durchgangsöffnung 5c versehen, die durch den Verbindungsbereich in Dickenrichtung durch den Vorsprungbereich 5b verläuft.