| 发明名称 |
希土類酸化物／シリコン基板上で成長した、ＡＩＮ中間層を含むＩＩＩ−Ｎ材料 |
| 摘要 |
【課題】最終的なIII-N層16に加わる歪を減少させもしくは調節する。【解決手段】シリコン基板10の表面と結晶格子整合する単結晶希土類酸化物層11がシリコン基板10に配置される。III-N材料の第１層12が希土類酸化物層11の表面に設置され、窒化アルミニウム（AlN）の中間層14がIII-N材料の第１層12の表面に設置される。そしてIII-N材料の付加的な層16が窒化アルミニウムの中間層14の表面に設置される。窒化アルミニウムの中間層14およびIII-N材料の付加的な層16の堆積は、n回繰り返される。【選択図】図１ |
| 申请公布号 |
JP2016512485(A) |
申请公布日期 |
2016.04.28 |
| 申请号 |
JP20150552718 |
申请日期 |
2014.01.03 |
| 申请人 |
トランスルーセント インコーポレイテッドＴＲＡＮＳＬＵＣＥＮＴ， ＩＮＣ． |
发明人 |
アルクン，エルデム;レビー，マイケル;クラーク，アンドリュー;ダルギス，リティス |
| 分类号 |
C30B29/38;C30B23/08;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H01L33/32 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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