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본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 단계적으로 증가하는 프로그램 전압을 메모리 셀에 인가하는 단계, 상기 메모리 셀의 초기 상태에서 타겟 상태로의 문턱 전압의 변화량에 기초하여, 프로그램 루프 동안 상기 메모리 셀에 인가될 검증 전압의 개수를 결정하는 단계, 및 상기 메모리 셀의 상기 타겟 상태로의 프로그램 여부를 검증하기 위하여, 상기 결정된 적어도 하나의 검증 전압을 상기 메모리 셀에 인가하는 단계를 포함한다. |
