| 摘要 |
(과제) 표면 거칠기의 정밀도를 더욱 개선할 수 있어, 진전되는 콘택트 홀이나 라인 등의 미세화에 대응 가능한 어모퍼스 실리콘의 성막 방법을 제공하는 것이다. (해결 수단) 하지(2)를 가열하고, 가열한 하지(2)에 아미노실란계 가스를 흘려 하지(2)의 표면에 시드층(3)을 형성하는 공정과, 하지(2)를 가열하고 가열한 하지(2)의 표면의 시드층(3)에 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 공급하여, 아미노기를 포함하지 않는 실란계 가스를 열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에 어모퍼스 실리콘막을 형성하는 공정을 구비한다. |
