| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Sensorpixel (106) zum Detektieren von Infrarotstrahlung (102), wobei das Sensorpixel (106) eine Absorberfläche (110) zum Absorbieren der Infrarotstrahlung (102) und einen an die Absorberfläche (110) thermisch gekoppelten Sperrschicht-Feldeffekttransistor (112) zum Erfassen einer Temperatur der Absorberfläche (110) aufweist. Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (112) weist einen Sourcekontakt (S), einen Drainkontakt (D) und einen Gatekontakt (G) auf. |
