Zwei-Schritt-Ausbildung von Metallisierungen

摘要

Eine integrierte Schaltungsstruktur umfasst eine erste Leiterbahn, eine dielektrische Schicht über der ersten Leiterbahn, eine Diffusionsbarriere-Schicht in der dielektrischen Schicht und eine zweite Leiterbahn in der dielektrischen Schicht. Die zweite Leiterbahn umfasst einen ersten Abschnitt der Diffusionsbarriere-Schicht. Eine Durchkontaktierung liegt unter der zweiten Leiterbahn und verbindet die zweite Leiterbahn elektrisch mit der ersten Leiterbahn. Die Durchkontaktierung umfasst einen zweiten Abschnitt der Diffusionsbarriere-Schicht, wobei der zweite Abschnitt der Diffusionsbarriere-Schicht ein unteres Ende aufweist, das höher als eine Bodenfläche der Durchkontaktierung ist.