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发明名称
3 THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
3차원 반도체 메모리 소자가 제공된다. 3차원 반도체 메모리 소자는 리세스 영역을 가지는 반도체 기판, 리세스 영역으로부터 멀어지는 방향으로 연장된 활성 패턴, 반도체 기판 상에 활성 패턴과 대향하며 수평 방향으로 연장되는 하부 선택 게이트을 포함한다.
申请公布号
KR101616089(B1)
申请公布日期
2016.04.28
申请号
KR20090055441
申请日期
2009.06.22
申请人
삼성전자주식회사
发明人
정재훈;김한수;장재훈;심선일
分类号
H01L21/8247;H01L27/115
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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