发明名称 一种低频宽带多路同轴空间功率分配合成器及方法
摘要 本发明公开了一种低频宽带多路同轴空间功率分配合成器及方法。功率分配/合成器包括一个直通同轴波导和一个扩展同轴波导,直通同轴波导内部设有第一内导体,扩展同轴波导内部设有第二内导体;在直通同轴波导上开设有第一50Ω标准同轴端口;第一内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在扩展同轴波导处沿径向等间隔分割出多路分支波导;每路分支波导内部设有一个第三内导体,第三内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在第二内导体上设有环绕第二内导体一周的环形连接导体,每个第三内导体对应的连接在环形连接导体的一个圆周面等分点上;在每路分支波导上开设有一个第二50Ω标准同轴端口。本发明具有合成路数增多、合成效率高、工作频带宽、低损耗等优点。
申请公布号 CN104134843B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201410342226.X 申请日期 2014.07.18
申请人 中国电子科技集团公司第四十一研究所 发明人 朴智棋;宁曰民;姜万顺;刘金现;朱伟峰
分类号 H01P5/12(2006.01)I 主分类号 H01P5/12(2006.01)I
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人 王连君
主权项 一种低频宽带多路同轴空间功率分配/合成器,包括一个直通同轴波导和一个扩展同轴波导,直通同轴波导内部设有第一内导体,扩展同轴波导内部设有第二内导体,第一内导体与第二内导体连接;在直通同轴波导上开设有第一50Ω标准同轴端口;其特征在于,第一内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在扩展同轴波导处沿径向等间隔分割出多路分支波导;每路分支波导内部设有一个第三内导体,第三内导体采用台阶式多级阻抗变换结构;在第二内导体上设有环绕所述第二内导体一周的环形连接导体,每个第三内导体对应的连接在环形连接导体的一个圆周面等分点上;在每路分支波导上开设有一个第二50Ω标准同轴端口。
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