发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明的目的在于得到一种散热性提高、并且绝缘性提高的半导体装置。具备半导体元件(1a)、与半导体元件(1a)连接的引线框架(4a)、隔着第1绝缘层(5)配置于引线框架(4a)的金属基体板(6)、以及在金属基体板(6)中的与配置了第1绝缘层(5)的面相反的一侧设置的第2绝缘层(7),第1绝缘层(5)是散热性比第2绝缘层(7)高的绝缘层,第2绝缘层(7)是其绝缘性与第1绝缘层(5)的绝缘性相同或者比第1绝缘层(5)的绝缘性高的绝缘层。 |
申请公布号 |
CN103250243B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201180058644.0 |
申请日期 |
2011.12.05 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
盐田裕基;冈诚次;山口义弘 |
分类号 |
H01L23/34(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/34(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
崔成哲 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体元件;引线框架,与所述半导体元件连接;金属基体板,隔着第1绝缘层配置于所述引线框架;以及第2绝缘层,设置于所述金属基体板中的与配置了所述第1绝缘层的面相反的一侧,所述第1绝缘层是散热性比所述第2绝缘层高的绝缘层,所述第2绝缘层是其绝缘性与所述第1绝缘层的绝缘性相同或者比所述第1绝缘层的绝缘性高的绝缘层,所述半导体装置具有与所述金属基体板连接的冷却器,所述冷却器在所述金属基体板中的与配置了所述第2绝缘层的面相同的一侧的面具有所述第2绝缘层。 |
地址 |
日本东京 |