| 发明名称 | 一种ALN压电薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种ALN压电薄膜，本发明技术方案选用二氧化硅作为衬底，同时在现有技术的ALN层以上引入保护层，从而在不影响其性能的基础上尽可能延长其使用寿命。本发明技术方案设计合理，且易于实现，具有良好的推广应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105529998A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201410516015.3 | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 天津市泛凯科贸有限公司 | 发明人 | 彭志刚 |
| 分类号 | H03H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人 | 韩敏 |
| 主权项 | 一种ALN压电薄膜，其特征在于包括保护层(1)，ALN层(2)，二氧化硅层(3)，其中二氧化硅层(3)位于所述ALN压电薄膜的下部，保护层(1)位于所述ALN压电薄膜的上部，ALN层(2)上表面与保护层(1)相贴合，ALN层(2)下表面与二氧化硅层(3)相贴合。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区火炬大厦4026室 | ||