发明名称 |
一种具有二维纳米碗阵列陷光结构的有机太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于聚合物太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于纳米热压印技术的二维碗阵列陷光结构有机太阳能电池及其制备方法,该方法具体包括:利用PS小球模板法和溶胶凝胶法制备TiO<sub>2</sub>二维纳米碗阵列模版,利用二维纳米碗阵列作为陷光结构模版,通过纳米压印机直接在活性层上压印出均匀分布的二维纳米碗阵列,这种方法创新性采用PS小球结合溶胶凝结法快速制备压印模版,不仅缩短时间,而且节约成本。同时,利用纳米压印技术制作出二维纳米周期结构,可以有效增加光吸收,提高对太阳光的利用率。因此,本发明不仅创新压印模版制备方法,同时,有效提高有机太阳能电池的效率,为未来纳米压印以及有机太阳能电池的发展有很大借鉴意义。 |
申请公布号 |
CN105529404A |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201510955864.3 |
申请日期 |
2015.12.21 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
郭文滨;李质奇;沈亮;董玮;周敬然;张歆东;温善鹏;阮圣平 |
分类号 |
H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/42(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
王淑秋;王恩远 |
主权项 |
一种具有二维纳米碗阵列陷光结构的有机太阳能电池,从下至上,依次由ITO导电玻璃衬底、TiO<sub>2</sub>电子传输层、PCDTBT:PCBM活性层、MoO<sub>3</sub>空穴传输层和Ag阳极组成,其特征在于:与MoO<sub>3</sub>空穴传输层相接触的PCDTBT:PCBM活性层表面为高度有序的二维纳米碗阵列陷光结构,纳米碗的直径为350~450nm,高度为170~230nm。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |