发明名称 | 带隙基准电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种可以容易地调整带隙基准电压的大小的带隙基准电路。带隙基准电路具备:根据由于晶体管(Q1)的基极发射极间的PN结的正向电压和晶体管(Q2)的基极发射极间的PN结的正向电压的电压差而在电阻(R0)中流过的基准电流(I0),作为基准电压输出带隙基准电压(VBG)的基准电压生成电路(23);对基准电流(I0)加减修正电流(It)的修正电流加减运算电路(22)。 | ||
申请公布号 | CN103309395B | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
申请号 | CN201310067904.1 | 申请日期 | 2013.03.04 |
申请人 | 三美电机株式会社 | 发明人 | 井上文裕 |
分类号 | G05F3/30(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/30(2006.01)I |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;郭凤麟 |
主权项 | 一种带隙基准电路,其特征在于,具备:基于由于第一半导体元件的PN结的正向电压和第二半导体元件的PN结的正向电压的电压差而生成的基准电流,输出基准电压的输出电路;以及对所述基准电流加减修正电流的加减运算电路,其中,所述加减运算电路基于为了生成所述基准电压而供给的偏置电流,生成所述修正电流,其中,所述加减运算电路具备:生成对所述基准电流相加的所述修正电流的电流供给电路;生成对所述基准电流相减的所述修正电流的电流吸入电路;存储修正后的调整数据的非易失性存储器;以及根据存储在所述非易失性存储器中的所述调整数据,控制所述电流供给电路和所述电流吸入电路的控制电路。 | ||
地址 | 日本东京都 |