| 发明名称 | 碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在碳化硅半导体的基板上形成一层或多层氧化膜或氮化膜或者氮氧化膜作为栅极绝缘膜，之后进行热处理。形成栅极绝缘膜之后的热处理在不含有O<sub>2</sub>而含有H<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O的气氛中进行预定时间。由此，能够在包括碳化硅基板与栅极绝缘膜的界面的有限的区域使氢基或羟基偏析。氢基或羟基偏析的区域的宽度可以为0.5nm～10nm。由此，能够降低界面态密度，能够实现高的沟道迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN105531802A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201480039085.2 | 申请日期 | 2014.07.09 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 巻渕阳一;堤岳志;荒岡干;岡本光央;福田宪司 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王颖;金玉兰 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体装置，其在碳化硅半导体的基板上具有一层或多层氧化膜或氮化膜或氮氧化膜作为栅极绝缘膜，其特征在于，在包括所述基板与所述栅极绝缘膜的界面的区域使氢(H)或羟基(OH)偏析，该氢或羟基偏析的区域的宽度为0.5nm～10nm。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||