一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法

摘要

一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，涉及堆叠栅介质。对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统中，沉积一层Al₂O₃薄膜，实现对Ge衬底的表面钝化，获得Al₂O₃/Ge结构；将Al₂O₃/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al₂O₃/Ge界面态的优化；在处理后的样品上生长HfO₂高K介质；将获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得MOS结构器件，实现优化堆叠栅介质与锗界面。可优化高K介质/Ge界面态，并能维持钝化层的热稳定性，可减小工艺流程和时间成本。

主权项

一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，其特征在于包括以下步骤：1)对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；2)将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统(ALD)中，沉积一层Al₂O₃薄膜，实现对Ge衬底的表面钝化，获得Al₂O₃/Ge结构；3)将步骤2)得到的Al₂O₃/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al₂O₃/Ge界面态的优化；4)在步骤3)处理后的样品上生长HfO₂高K介质；5)将步骤4)中获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得到MOS结构器件，实现优化堆叠栅介质与锗界面。