DRAM器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种DRAM器件及其形成方法，其中DRAM器件的形成方法包括：提供衬底；形成第一栅极以及第二栅极；形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极，形成电介质层以及金属层，电介质层，以与通道晶体管的源极或者漏极共同形成电容器。DRAM器件包括：衬底、通道晶体管、电容器以及逻辑晶体管，晶体管源极或者漏极上依次形成有电介质层和金属层，源极或者漏极、所述电介质层以及所述金属层用于构成电容器。本发明的有益效果在于，过在通道晶体管的源极或者漏极上形成电介质层以及金属层来形成存储器件的电容器，不需要像现有技术一样专门在衬底中形成深沟槽来形成电容器，简化了制作过程，减小了制作难度并且与常规制造流程的兼容性更好。

主权项

一种DRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储器件区以及至少一个逻辑器件区；在所述衬底的逻辑器件区以及存储器件区中分别形成第一栅极以及第二栅极；分别在所述逻辑器件区中的第一栅极两侧的衬底，以及存储器件区中的第二栅极的两侧的衬底中形成凹陷，在所述凹陷中填充材料层，以分别形成所述逻辑晶体管和通道晶体管的源极或者漏极；在所述通道晶体管的源极或者漏极上依次形成电介质层以及金属层，所述电介质层、金属层与所述通道晶体管的源极或者漏极用于构成电容器。